Kim 2025 · Hybrid 접속 저항 모델
High-precision Resistance Modeling for 3D Hybrid Bonding with Contact Resistance Integration
금속·via·pad·계면을 나눈 저항망을 FEM과 비교한다. 실제 전기 검증은 수평 배치 등가 패턴이며 개선 모델 대 FEM의 차이 <1%와 구분된다.
Seon Woo Kim; Kyung Min Shin; Jong Kyung Park
Journal of Semiconductor Technology and Science25(5), 556–563 · 2025
원문에서 읽은 핵심
근거와 조건모든 via의 단순 병렬화 대신 metal/pad 저항을 분할해 전위·전류 밀도의 불균일성과 contact 저항을 표현한다. 근거 유형: 저항망·FEM 모델.
단순 모델 170 mΩ와 FEM 149 mΩ의 저자 보고 12% 차이를 제시하고, via 분포에 따른 유효 단면적 보정을 도입한다. 근거 유형: 모델 비교.
Via 수·높이·저항률·contact resistivity sweep에서 개선 모델과 FEM의 차이<1%를 보고한다. 접촉은 1 nm 저항막으로 모델링한다. 근거 유형: FEM 검증.
Ti/Cu/Ru 50/200/10 nm의 평면 배치 등가 구조 16종을 제작하여 100 mA의 2점 probe로 측정하고 약 0.2 Ω의 기생 성분을 차감한다. 근거 유형: 전기 등가 패턴 실험.
실험의 via 높이·수·metal 치수 변화와 저항 모델이 같은 경향을 보인다. Cu 접합면의 ρc 입력과 평면 전기 검증은 각 검증 단위로 관리한다. 근거 유형: 실험·모델 추세 비교.