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논문에서 직접 찾아보세요.

구조와 결과, 그리고 그 결과를 만든 조건까지. 원문을 검토한 논문들을 주제별로 연결했습니다.

18편의 논문 · 원문 근거와 한국어 해설

2006IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems

Al-Ars 2006 · 결합과 BL twist

BSIM3v3 folded-BL 모델에서 결합 시점·데이터 패턴·저항성 결함을 분석한다. Single/triple twist와 2차 결합 경로는 차동 센싱을 이해하는 기반이다.

Zaid Al-Ars; Said Hamdioui; Ad J. van de Goor; Sultan Al-Harbi

BL·WL 배선과 결합센싱과 주변회로

20232023 International Electron Devices Meeting (IEDM)

Yoo 2023 · JL-GAA 제작 어레이

8Gb JL-GAA 제작 어레이의 구조·공정·전기 특성을 제시한다. STI profile과 implant를 누설·BL 저항에 연결하며 회로 타이밍은 Si 기반 SPICE/PEX로 비교한다.

Abraham Yoo; Yi Jiang; Yunsong Qiu; Yuhong Zheng; Chen Yang; Daohuan Feng; Yucheng Liao; Xiangbo Kong; Jianfeng Xiao; Dongsheng Xie; Jinying Liu; Jian Chu; Di Ma; Minrui Hu; Wenli Zhao; Guangsu Shao; Chao Lin; Kai Shao; Yan Wang; Handong Xu; Zelun Li; Kuoming Huang; Xingkun Xue; Tingting Gu; Kang You; Xiang Liu; Jong Sung Jeon; Shufang Si; Yanzhe Tang; Mingde Liu; Yadong Guo; Jintao Chen; Mingtang Zhang; Xinwen Jin; GJ Yang; DH Han; Ted Park; Deyuan Xiao; Chao Zhao; Kanyu Cao

셀 구조와 기본 동작수직 채널과 게이트

2020IEEE Transactions on Electron Devices

Min 2020 · 내부 게이트 TCAD

내부 게이트 VIG와 외부 게이트 VOG를 3D TCAD로 비교한다. 구동·정적 보존·동적 보존의 절충과 overlap 조절 효과를 다룬다.

Kyung Kyu Min; Sungmin Hwang; Jong Ho Lee; Byung Gook Park

수직 채널과 게이트커패시터와 저장 노드

2026IEEE Access

Gu 2026 · 채널과 배치 스케일링

358 K에서 보정한 TCAD로 채널 폭·BG 산화막·절연 두께와 배치의 절충을 분석한다. 센싱 전압은 고정한 Cs와 보존시간 가정에서 계산한다.

Jahyun Gu; Hansol Kim; Yoonki Hong; Dongkyu Jang; Sung Yun Woo

셀 구조와 기본 동작수직 채널과 게이트

2026IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits

Lee 2026 · 소자–배열–회로 모델

TCAD·compact model·분포 RC·SPICE를 연결한다. 작은 BL 부하와 큰 직접 결합이 공존하는 조건에서 차폐와 folded-like twisted BLSA를 평가한다.

Kiseok Lee; Seongkwang Lim; Suman Datta; Shimeng Yu

셀 구조와 기본 동작커패시터와 저장 노드

20252025 Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits)

Park 2025 · VG와 PUC 집적

VG cell과 별도 PERI wafer를 유전체 fusion bonding 후 inter-wafer contact로 연결한다. Overlay·chain·소자 측정과 접합 열처리 비교를 제공한다.

Joodong Park; Junhwe Cha; Jin Sun Cho; Seung Wan Chu; Chansun Hyun; Daeik Kim; Ildo Kim; Jiwoo Kim; Sein Kwon; Junghak Lee; Seung Cheol Lee; Ju Hyun Myung; Jino Song; Minchul Sung; Jiho Kang; Suock Chung; Kyunghoon Kim; Seungbum Kim; Seon Soon Kim; Seiyon Kim; Sunghoon Lee; Youngmann Cho; Seonyong Cha

셀 구조와 기본 동작수직 채널과 게이트

20262026 IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC)

Yoon 2026 · HCB와 COP 시험 칩

독립 cell/PERI를 Cu-pad HCB로 연결한 16Gb COP 시험 칩이다. 같은 설계 규칙의 gross die 이득, 주변회로 배치, 배선 자원과 실제 동작을 함께 설명한다.

Hyunchul Yoon; Youngseok Park; Tae Jin Park; Suk Lae Kim; Seungjae Jung; Daesun Kim; Kyunghwan Kim; Yongjun Kim; KyuChang Kang; Bokyeon Won; Sang-Hoon Jung; Seunghan Woo; Donggeon Kim; Jonghyuk Kim; In Jung; Junsoo Kim; Jae-Joon Song; InCheol Nam; Young-Hun Seo; Sungsoo Yim; Jemin Park; Changsik Yoo; SangJoon Hwang

셀 구조와 기본 동작BL·WL 배선과 결합

2026arXiv preprint

Liu 2026 · Flip DRAM 확장 제안

전후면 VCT와 배선 모듈을 이용한 2F²·1.75F²·3D 확장 preprint다. FS/BS 개별 제작 모듈, 제안 통합 흐름, PEX/SPICE·시스템 모델을 연결한다.

Yu Liu; Xinyue He; Yanbang Chu; Siyuan Liu; Jianxiang Jin; Fangcheng Sun; Yuyang Qiao; Xu Tian; Lan Li; Baokang Peng; Lining Zhang; Xing Wu; Pengpeng Ren; Zhigang Ji; Zongwei Wang; Lijie Zhang; Xinwei Wang; Weihai Bu; Ming Li; Runsheng Wang; Heng Wu; Ru Huang

셀 구조와 기본 동작공정·재료와 열 이력

20262026 IEEE/JSAP Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits)

Chu 2026 · BG와 BL 차폐

Shared BG·junction·BLS를 보존과 센싱에 연결한다. 제작 구조와 실측, 소자·센싱 예측, thin-PERI well 실험을 각 근거로 읽을 수 있다.

Seung Wan Chu; Junho Cheon; Jinsun Cho; Eunhyup Doh; Jungmin Han; Seung Bum Hong; Choong-ki Kim; Daeik Kim; Jin Ar Kim; Sunghyun Kim; Yongtaik Kim; Kyongsoo Kum; Sein Kwon; DongJae Lee; Dong Ryeol Lee; Junghak Lee; Eunshil Park; Jongbum Park; Dong Hee Shin; Eunji Shin; Jino Song; Minchul Sung; Wansik Yoo; JeongTae Hwang; Seungbum Kim; Kyoungchul Jang; Joodong Park; Youngmann Cho; Seonyong Cha

수직 채널과 게이트커패시터와 저장 노드

20242024 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)

Fujii 2024 · 산화물 OCTRAM

InGaZnO GAA VCT와 275Mbit OCTRAM을 제작한다. 접촉 산화·GI/spacer·BEOL chemistry를 구동·변동·초저누설 측정에 연결한다.

Shosuke Fujii; Tseng Fu Lu; Keiji Ikeda; Szu Yao Chang; Kei Sakamoto; Lu Wei Chung; Mutsumi Okajima; Jhen-Yu Tsai; Toshifumi Kuroda; Chung Peng Hao; Shinji Miyano; Mei Chuan Peng; Kimitoshi Okano; Martin Sillero; Akihiro Kajita; Chung Lin Huang; Takeshi Fujimaki; Chiang-Lin Shih

셀 구조와 기본 동작수직 채널과 게이트

20252025 Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits)

Kamiyama 2025 · 원통 절연막 TDDB

24–40 nm 원통 GAA 소자의 절연막 손상·곡률·roughness를 평가한다. 85 °C 가속 stress와 면적 정규화, E-model로 Gbit-class 수명을 외삽한다.

Akinori Kamiyama; Shoichi Kabuyanagi; Masaya Toda; Tomoharu Okada; Satoshi Hasegawa; Takamasa Hamai; Ibuki Watanabe; Shino Sato; Kazuhiro Matsuo; Yusuke Kasahara; Keiko Ariyoshi; Ken-ichi Haga; Keiji Ikeda; Akihiro Kajita; Takayuki Tsukamoto; Shosuke Fujii

수직 채널과 게이트공정·재료와 열 이력

20252025 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)

Jung 2025 · a-IGO 계면과 열 안정성

a-IGO/전극 계면의 양이온·산소 이동을 계산과 원소 분석으로 연결한다. 100 nm VCT의 550 °C 열 안정성과 평면 소자의 NBTI를 구분해 제시한다.

Kyooho Jung; Ha-Jun Sung; Yunjin Jang; Kwang-Hee Lee; Daehyuk Son; Youngkwan Cha; Jung-Kyun Kim; Na-Rae Han; Hyerim Hong; Moonil Jung; Jee-Eun Yang; Sangwook Kim

수직 채널과 게이트공정·재료와 열 이력

20142014 ACM/IEEE 41st International Symposium on Computer Architecture (ISCA)

Kim 2014 · DRAM 교란 오류 실험

DDR3 129개 모듈을 교란 시험한 기반 연구다. Activation·refresh·데이터 패턴·반복성에 따라 오류 분포가 달라지는 것을 실험한다.

Yoongu Kim; Ross Daly; Jeremie Kim; Chris Fallin; Ji Hye Lee; Donghyuk Lee; Chris Wilkerson; Konrad Lai; Onur Mutlu

커패시터와 저장 노드신뢰성과 불량 검증

20152015 IEEE 21st International Symposium on High Performance Computer Architecture (HPCA)

Lee 2015 · 온도와 적응형 타이밍

DDR3 115개 모듈의 온도·타이밍 여유를 profiling한다. 적응형 timing table 제안과 별도 실제 시스템 평가로 소자 여유의 시스템 영향을 보여 준다.

Donghyuk Lee; Yoongu Kim; Gennady Pekhimenko; Samira Khan; Vivek Seshadri; Kevin Chang; Onur Mutlu

커패시터와 저장 노드센싱과 주변회로

2024IEEE Transactions on Electron Devices

Lin 2024 · IGZO의 PBTI

평면 ALD IGZO에서 조성·유전체·후처리를 대조한다. 수소·산소공공 관련 성분 모델과 PBTI 측정을 연결하는 재료·공정 기반 연구다.

Zhiyu Lin; Lu Kang; Jinxiu Zhao; Yue Yin; Ziheng Wang; Jun Yu; Yuan Li; Guangzheng Yi; Arokia Nathan; Xiuyan Li; Ying Wu; Jeffrey Xu; Mengwei Si

수직 채널과 게이트공정·재료와 열 이력

2025The International Journal of Advanced Manufacturing Technology 139, 4395–4415

Stöckermann 2025 · Fab 배차 시뮬레이션

공개 benchmark와 산업 데이터 기반 fab를 이산사건 시뮬레이션으로 비교한다. 납기·완료량·WIP·장비 제약을 함께 고려한 배차 정책을 평가한다.

Patrick Stöckermann; Henning Südfeld; Alessandro Immordino; Thomas Altenmüller; Marc Wegmann; Martin Gebser; Konstantin Schekotihin; Georg Seidel; Chew Wye Chan; Fei Fei Zhang

생산 흐름·수율과 비용

2022Micromachines13(4), 537

Kim 2022 · 본딩 에너지와 edge void

300 mm hybrid bonding에서 plasma·CMP·warpage와 접합 에너지·void를 연결한다. DCB·AFM·SAM의 서로 다른 관측을 공정 조건별로 비교한다.

Yeoun-Soo Kim; Thanh Hai Nguyen; Sung-Hoon Choa

공정·재료와 열 이력본딩과 3D 접속

2025Journal of Semiconductor Technology and Science25(5), 556–563

Kim 2025 · Hybrid 접속 저항 모델

금속·via·pad·계면을 나눈 저항망을 FEM과 비교한다. 실제 전기 검증은 수평 배치 등가 패턴이며 개선 모델 대 FEM의 차이 <1%와 구분된다.

Seon Woo Kim; Kyung Min Shin; Jong Kyung Park

BL·WL 배선과 결합본딩과 3D 접속